实现光刻机的国产化替代,势在必行!

难道处处受制于人的中国光刻机就真的没有希望了吗?当然不是,在持续的芯片制裁下,中国选择积极迎战。

实现光刻机的国产化替代,势在必行!

80年代,我国光刻机的早期研发仍流行着造不如买的做法,这也让很多光刻机自主攻关项目进度放缓,为了寻求突破口,当时我国的科研力量选择在芯片设计上发力,台积电的创始人张忠谋曾说:当初中国着重发展芯片设计其实是正确的,因为可以持续独立发展,并培养出一些很先进的公司。

芯片设计

事实证明,在芯片设计的道路上发力,让华为设计的五纳米麒麟9000芯片的性能表现领先国际,而在芯片制造上被卡脖子是我们面临的下一个难题,在全球光刻机被阿斯麦尔、尼康、佳能等国外企业垄断的趋势下,实现光刻机的国产化替代势在必行。

在十二五期间,国家就推出了极具前瞻性的零二专项光刻机项目,规划到2020年12月验收193纳米浸没式DUV光刻机制,制程工艺为28纳米,直接对标阿斯麦尔现阶段最强DUV光刻机,而光刻机这一高精尖产品,同时也带动了一批优秀的中国制造业企业,上海微电子负责中国光刻机的设计和总体集成、北京科技公园提供光源系统、北京国望光学提供物镜系统、博科经理提供曝光光学系统、华卓精科提供双工作台、浙江启尔机电提供浸没系统等,在光刻机进口处处受限的情况下,反而倒逼中国打造出一条光刻机的供应链。

上海微电子光刻机

当前,上海微电子已经实现90纳米制程量产,28纳米工艺的国产光刻机也预计在2021年交货,而在高端的EUV光刻机市场,中科院长春光机所也在实验室宣布了一个喜讯,称已经搭建出了一套EUV光源设备,预计两年内可推出光刻机,而中科院长春光机所的光刻机所需的核心部件透镜及曝光系统则由哈工大研发。

在这个摩尔定律已经基本失效的当下,当芯片制程工艺推进到三纳米,芯片将达到材料学的物理极限,导致全球的芯片制程将会进入一个平台期,易比认为这其实是中国的一个绝佳的机会,拿出集中力量办大事的精神,借机突破光刻机的封锁,实现国产替代。

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