台积电为何被称为台漏电?

全球半导体行业经历了多次变革,但这么多年来,无论是什么类型的芯片,无一例外都采用的硅基半导体材料,因为它让芯片从0分实现了80分的跨越,但如今芯片发展早就不满足于80分,想要有新的突破。

台积电

可是硅基半导体的一大拦路虎,那就是摩尔定律,所谓的摩尔定律是由英特尔的联合创始人戈登摩尔提出的,1965年摩尔经过观察称,每隔18到24个月,集成电路上可容纳的元器件数目便会增加一倍,芯片的性能也会随之翻一番,我们都知道,芯片制程工艺的提升能减小晶体管的面积,使相同面积的芯片上能够集成更多的晶体管,同时还能降低晶体管的功耗及硅片成本。

这当然很好啊,但随着制程工艺提升,以纳米为长度单位的晶体管之间,由于距离太短,绝缘层太薄,漏电的情况同样也就随之而来了,这反而增加了芯片的功耗,台积电就曾因为漏电率高,导致功耗大而被戏称为“台漏电”。

为了解决漏电问题,很多企业和相关机构已经在着手研究,但晶体管在十纳米以下时,由于晶体管的电子会发生量子隧穿效应,导致电子不按设计的道路移动运算准确性受到了严重影响,这个问题几乎无解。

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